D142AG-00 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO hFE VCE(sat) V BE(sat) ICBO IEBO fT tON tSTG tF 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极饱和电压 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 特征频率 导通时间 贮存时间 下降时间 600 400 1.8 0.8 1.2 1.1 4.0 0.7 V V V V V V µA µA MHz µS µS µS I C=1mA，IE=0 IC=10mA，IB=0 IE=1mA，IC=0 VCE=10V，IC=0.1A IC=1A，IB=200mA IC=0.5A，IB=100mA IC=0.5A，IB=100mA VCB=500V，IE=0 VEB=9V，IC=0 VCE=10V，IC=0.1A， f=1MHz V CC=125V，IC=1A I B1=-IB2=0.2A R L=125Ω N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R 13002 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D142AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1420×1420µm 2 焊位尺寸：B 极300×245µm 2，E 极 350×245µm 2 电极金属：铝 背面金属：银或金 典型封装：KSE13002，HE13002