C150AG-01 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 █ 电参数 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 ICBO IEBO BVCEO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob tON tSTG tF 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 集电极— 发射极击穿电压 直流电流增益 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 导通时间 载流子贮存时间 下降时间 0.4 0.7 0.8 1.5 0.8 100 100 300 µA µA V V MHz pF µs µs µs V CB=60V，IE=0 VEB=7V，IC=0 IC=50mA，IB=0 VCE=5V，IC=0.5A VCE=5V，IC=3A IC=3A，IB=0.3A VCE=5V，IC=0.5A VCE=5V，IC=0.5A VCB=10V，IE=0， f=1.0 MHz V CE=30V，IC=2A I B1=-IB2=0.2A NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R D880 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C150AG-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1500×1500µm 2 焊位尺寸：B 极290×450µm 2；E 极 285×450µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：2SD880，HD880