C089BJ-00 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 █ 电参数 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 ICBO IEBO VCEO VEBO hFE V CE(sat) fT Cob 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 集电极-发射极电压 发射极-基极电压 直流电流增益 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 180 100 150 800 2.0 nA nA V V V MHz pF V CB=30V,IE=0 VEB=5V,IC=0 IC=10mA,IB=0 IE=1mA,IC=0 VCE=2V,IC=0.5A VCE=2V,IC=1A IC=3A,IB=0.1A VCB=6V,IE=50mA VCB=20V,IE=0, f=1MHz NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R 965 晶体管芯片说明书 芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:C089BJ-00 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:890×890µm 2 焊位尺寸:B 极150×150µm 2;E 极 153×153µm 2 电极金属:铝 背面金属:金 典型封装:2SD965,HD965