C065BJ-00 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 ICBO IEBO hFE V BE(on) VCE(sat） VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 基极— 发射极导通电压 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极饱和电压 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 特征频率 100 0.2 0.1 0.1 500 1.0 0.5 1.2 µA µA V V V V V V MHz V CB=35V，IE=0 VEB=6V，IC=0 VCE=1V，IC=100mA VCE=1V，IC=800mA VCE=1V，IC=10mA IC=800mA，IB=80mA IC=800mA，IB=80mA IC=100µA，IE=0 IC=2mA，IB=0 IE=100µA，IC=0 VCE=10V，IC=50mA N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R 8050L 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C065BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：650×650µm 2 焊位尺寸：B 极 105×105µm 2；E 极 105×105µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：S8050，H8050L