C043BJ-00 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 █ 电参数 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 ICBO IEBO hFE V CE(sat） VBE(sat) VBE(on) BVCBO BVCEO BVEBO 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极饱和电压 基极— 发射极导通电压 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 0.6 0.1 0.1 390 0.6 1.2 0.73 µA µA V V V V V V V CB=25V，IE=0 VEB=3V，IC=0 VCE=1V，IC=50mA VCE=1V，IC=500mA IC=500mA，IB=50mA IC=500mA，IB=50mA VCE=1V，IC=10mA IC=100µA，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=100µA，IC=0 N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R 9013 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C043BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：430×430µm2 焊位尺寸：B 极 107×107µm2，E 极 101×101µm2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：SS9013，H9013，8050S