A150AG-01 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 █ 电参数 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 ICBO IEBO BVCEO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob tON tSTG tF 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 集电极— 发射极击穿电压 直流电流增益 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 导通时间 载流子贮存时间 下降时间 -60 -0.5 -0.7 -150 0.4 1.7 0.5 -100 -100 300 µA µA V V MHz pF µs µs µs V CB=-60V，IE=0 VEB=-7V，IC=0 IC=-50mA，IB=0 VCE=-5V，IC=-0.5A VCE=-5V，IC=-3A IC=-3A，IB=-0.3A VCE=-5V，IC=-0.5A VCE=-5V，IC=-0.5A VCB=-10V，IE=0， f=1.0 MHz V CE=-30V，IC=-2A - I B1=IB2=0.2A PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A150AG-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1500×1500µm 2 焊位尺寸：B 极290×450µm 2；E 极 285×450µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：2SB834，HB834 B834 晶体管芯片说明书