A089BJ-00 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 █ 电参数 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 ICBO IEBO VCEO VEBO hFE V CE(sat) fT Cob 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 集电极-发射极电压 发射极-基极电压 直流电流增益 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 -20 180 100 150 800 nA nA V V V MHz pF V CB=-30V，IE=0 VEB=-5V，IC=0 IC=-10mA，IB=0 IE=-1mA，IC=0 VCE=-2V，IC=-0.5A VCE=-2V，IC=-1A IC=-3A，IB=-0.1A VCB=-6V，IE=-50mA VCB=-20V，IE=0， f=1MHz PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R 966 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A089BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：890×890µm 2 焊位尺寸：B 极150×150µm 2；E 极 153×153µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SB966，HB966