A043BJ-00 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 █ 电参数 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 ICBO IEBO hFE V CE(sat) VBE(sat) VBE(on) BVCBO BVCEO BVEBO 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极饱和电压 基极— 发射极导通电压 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 -0.6 -40 -20 -0.1 -0.1 390 -0.6 -1.2 -0.73 µA µA V V V V V V V CB=-25V,IE=0 VEB=-3V,IC=0 VCE=-1V,IC=-50mA VCE=-1V,IC=-500mA IC=-500mA,IB=-50mA IC=-500mA,IB=-50mA VCE=-1V,IC=-10mA IC=-100µA,IE=0 IC=-1mA,IB=0 IE=-100µA,IC=0 PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R 9012 晶体管芯片说明书 芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:A043BJ-00 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:430×430µm 2 焊位尺寸:B 极 107×107µm2,E 极 101×101µm2 电极金属:铝 背面金属:金 典型封装:SS9012,H9012,8550S