A080BJ-03 HUASHAN
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 █ 电参数 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 集电极— 基极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 -30 -30 100 120 -100 -100 320 V V V nA nA V V MHz pF I C=-100µA，IE=0 IC=-10mA，IB=0 IE=-1mA，IC=0 VCB=-30V，IE=0 VEB=-5V，IC=0 VCE=-2V，IC=-500mA IC=-1.5A，IB=-30mA VCE=-2V，IC=-500mA VCE=-2V，IC=-500mA VCB=-10V ,IE=0,f=1MHz PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R 928S 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A080BJ-03 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：800×800µm 2 焊位尺寸：B 极124×124µm 2；E 极 221×110µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：KSA928A，H928S