8205A ETC
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N 沟道增强型功率 MOSFET OCT. 2012 1. 描述 引脚排列 共漏极 N 沟道增强型功率场效应管 8205A/8205B/ 8205C 具有快速开关、超低导通电阻和高性价比的特点。 8205A/8205B/8205C 适用于设计电池保护或低压开关的电路。 2. 特点 z 低导通电阻 z 低驱动电流 z 低栅极电压 2.5V z V B DS B =20V z I B D B =6A @ V B GS B =4.5V z 8205A ： R B DS(ON) B <32mΩ @ V B GS B =4.5V z 8205B ： R B DS(ON) B <35mΩ @ V B GS B =4.5V z 8205C ： R B DS(ON) B <38mΩ @ V B GS B =4.5V 3. 应用领域 z 锂电池充电保护 z 电源管理 z 便携式设备 z 负载开关 （顶视） 4. 框图
- 订购信息 工作温度范围（结温） 封装 订购型号 包装数量 -55°C ~ +150°C TSSOP8 Pb-Free 8205A 100 片/管 8205B 8205C TSSOP8 Pb-Free 8205ATR 4000 片/卷 8205BTR 8205CTR SOT23-6 Pb-Free 8205AS6 3000 片/卷 8205BS6 8205CS6 6. 最大额定参数 参数 符号 值 单位 漏源电压 V B DS B 20 V 栅源电压 V B GS B ±10 V 漏极电流，V B GS B =4.5V，@T B a B =25°C I B D B 6 A 漏极电流，V B GS B =4.5V，@T B a B =70°C I B D B 4.8 A 漏极脉冲电流（注1） I B DM B 20 A 功耗，@T B a B =25°C P B D B 1.5 W 工作结温 T B j B -55 ~ +150 °C 存储温度 T B stg B -55 ~ +150 °C 功耗随温升的线性降低因数 0.008 W/°C 热阻，结到环境（注2） R B thj-a B 83 °C/W 注1：脉冲宽度受最大结温限制 注2：贴装在1平方英寸铜盘上，板材FR4；当贴装在最小铜盘上，208°C /W 7. 电气特性 B j B = 25°C，除非另有注明） 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BV B DSS B V B GS B = 0, I B D B = 250µA 20 22 40 V 漏源漏电流 I B DSS B V B DS B = 20V V B GS B = 0 - - 1 uA 栅源漏电流 I B GSS B V B GS B = ±10V,V B DS B = 0 - - ±100 nA 击穿电压温度系数 BV△ B DSS /T△ B j B 参考点25°C I B D B =1mA - 0.03 - V/°C 栅极门限电压 V B GS(th) B V B DS B = V B GS B , I B D B = 250μA 0.5 0.70 1.2 V
参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源导通电阻 （注1） R B DS(ON) B 8205A V B GS B = 4.5V I B D B = 4.5A - 22 26 mΩ V B GS B = 2.5V I B D B = 3.5A - 26 32 8205B V B GS B = 4.5V I B D B = 4.5A - 24 28 V B GS B = 2.5V I B D B = 3.5A - 29 35 8205C V B GS B = 4.5V I B D B = 4.5A - 26 30 mΩ V B GS B = 2.5V I B D B = 3.5A - 32 38 正向跨导 g B fs B V B DS B = 5V I B D B = 4.5A - 10 - S 栅极总电荷（注1） Q B g B I B D B = 6A V B DS B = 10V V B GS B = 4.5V - 10 15 nC 栅源电荷 Q B gs B - 2.3 - 栅漏电荷 Q B gd B - 3 - 导通延时（注1） T B d(on) B V B DS B = 10V I B D B = 1A V B GS B = 4.5V R B G B = 6Ω - 10 20 ns 上升时间 T B r B - 11 25 关断延时 T B d(off) B - 35 70 下降时间 T B f B - 30 60 输入电容 C B iss B V B GS B = 0V V B DS B = 8V f =1.0MHz - 600 - pF 输出电容 C B oss B - 330 - 反向传输电容 C B rss B - 140 - 源漏 二极 管 正向导通 电压（注1） V B SD B I B S B =1.7A, V B GS B =0V T B j B =25°C - 0.72 1.2 V 漏源连续电 流 I B S B - - 1.7 A 注1：脉冲宽度≤300 µ s，占空比≤2%
- 特性曲线图 图1. 典型输出特性 （T B C B =25℃） 图2. 典型输出特性（T B C B =150℃） 图3. R B DS(ON) B 阻值与结温的关系 图4. 导通电阻与结温的归一化关系 图5. 反向二极管的正向特性 图6. 栅极门限电压与结温的关系
图7. 栅极电荷特性 图8. 典型电容特性 图9. 最大安全工作区域 图10. 瞬态热阻 图11. 开关时间波形 图12. 栅极电荷波形
- 封装尺寸 TSSOP8 符号 尺寸(mm) 符号 尺寸(mm) 最小值 最大值 最小值 最大值 A - 1.20 E1 4.30 4.50 A1 0.05 0.15 F 0.65 ( 典型值) B 0.19 0.30 L 0.45 0.75 D 2.90 3.10 L1 1.00 ( 典型值) E 6.40 ( 典型值)
符号 尺寸（mm） 符号 尺寸（mm） 最小值 最大值 最小值 最大值 A 1.450 B2 1.900 A1 0.900 0.130 C 0.127 D 2.900 L 0.600 E1 2.800 L1 0.250 E 1.600 R 0.100 B 0.300 0.500 R1 0.100° 0.250 B1 0.950