6.6SM8Z11A

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Technical content

Features

Peak pulse power of 6600 W (10/1000 µs waveform) Very fast response time Unidirectional clamping Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten

6600 W Impuls-Verlustleistung

(10/1000 µs Strom-Impuls) Sehr schnelle Ansprechzeit Unidirektionales Begrenzen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 750 / 13 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 2.9 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) PPPM 6600 W Steady state power dissipation on infinite heatsink Verlustleistung im Dauerbetrieb auf unbegrenztem Kühlkörper TC = 25°C PM(AV) 8 W Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) IFSM 700 A Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Characteristics Kennwerte Max. instantaneous forward voltageAugenblickswert der Durchlass-Spannung IF = 100 A VF < 1.8 V Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht − Gehäuse RthC < 0.90 K/W 3)

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben

3 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 5.0±0.2 3.0±0.5 0.6±0.1 2.2±0.5 2.6±0.3 8.4±0.2 10.0±0.2 9.0±0.3 10.0±0.3 13.5±0.2 15.5±0.5 Type Typ

Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Type Typ Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Breakdown voltage Abbruch-Spannung bei at / bei IT = 5 mA Max. clamping voltage Max. Begrenzer-Spannung at / bei IPPM (10/1000 µs) 6.6SM8Z... VWM [V] ID [µA] ID [µA] Tj = 175°C VBR min [V] VBR max [V] VC [V] IPPM [A] 10A/-Q 10 15 250 11.1 12.3 17.0 388 11A/-Q 11 10 150 12.2 13.5 18.2 363 12A/-Q 12 10 150 13.3 14.7 19.9 332 13A/-Q 13 10 150 14.4 15.9 21.5 307 14A/-Q 14 10 150 15.6 17.2 23.2 284 15A/-Q 15 10 150 16.7 18.5 24.4 270 16A/-Q 16 10 150 17.8 19.7 26.0 254 17A/-Q 17 10 150 18.9 20.9 27.6 239 18A/-Q 18 10 150 20.0 22.1 29.2 226 20A/-Q 20 10 150 22.2 24.5 32.4 204 22A/-Q 22 10 150 24.4 26.9 35.5 186 24A/-Q 24 10 150 26.7 29.5 38.9 170 26A/-Q 26 10 150 28.9 31.9 42.1 157 28A/-Q 28 10 150 31.1 34.4 45.4 145 30A/-Q 30 10 150 33.3 36.8 48.4 136 33A/-Q 33 10 150 36.7 40.6 53.3 124 36A/-Q 36 10 150 40.0 44.2 58.1 114 40A/-Q 40 10 150 44.4 49.1 64.5 102 43A/-Q 43 10 150 47.8 52.8 69.4 95.1 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] PPP Peak pulse power/current vs. ambient temperature )1 Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. )1 [°C]TA 150100500 IPP 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform IPP PPP 100 0 t 1 2 3 [ms] 4 [%] tP I /2PPM P /2PPM t = 10 µsr