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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体场效应管/SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 2SK3018 MOSFET( N-Channel ) 印章/MARKING: KN 特点/Features： 1、 低导通电阻； 2、 开关速度快； 3、 低电压驱动； 用途/Applications： 用于一般开关电路。 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数/Parameter 符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit 源极-漏极电压/Drain-Source Voltage VDS 30 V 栅极-源极电压/Gate-Source Volotage VGSS ±20 V 漏极电流（持续）/Continuous Drain Current ID 0.1 A 耗散功率/Power Dissipation PD 0.35 W 热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient RθJA 350 ℃/mW 结温/Junction Temperature Tj 150 ℃ 储存温度/Storage Temperature Tstg -55～150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极-漏极击穿电压 VBR(DSS) VGS=OV,ID=10μA 30 V 栅极开启电压 VGS(th) ID=100μA, VDS=3V 0.8 1.5 V 栅极漏电流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V ±500 nA 零栅压漏极电流 IDSS VGS=0V, VDS=30V 0.2 µA 漏极导通电流 ID(ON) VGS=10V, VDS=7V 500 mA 漏极源极导通电阻 RDS(ON) VGS=4V,ID=10mA 8 Ω VGS=2.5V,ID=1mA 13 正向跨导 gfs VDS=3V,ID=10mA 20 ms 漏极-源极导通电压 VDS(ON) VGS=10V,ID=500mA 0.5 3.75 V VGS=5V,ID=50mA 0.05 0.375 V 输入电容 Ciss VDS=5V,VGS=0V,f=1MHz 13 pF

SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体场效应管/SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 输出电容 Coss 9 开启时间 t(on) VGS=5V, VDD=5V,ID=10mA, Rg=10Ω, RL=500Ω 15 ns 上升时间 tr 35 ns 关闭时间 t(off) 80 ns 下降时间 tf 80 ns 典型特性曲线图/Typical Characteristics