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Technical content
Features
High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit Hohe Stoßstromfestigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) Rep. peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N5391 50 100 1N5392 100 200 1N5393/-AQ 160 200 300 1N5394 300 400 1N5395 400 500 1N5396 500 600 1N5397 600 800 1N5398 800 1000 1N5399 1000 1200 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C TA = 100°C IFAV
1.5 A 4)
0.9 A 3)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 50/55 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 12.5 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Defined for -AQ parts only; Tj ≤ 150°C – Nur definiert für -AQ Bauteile; Tj ≤ 150°C
4 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø 0.8 ±0.05 Ø 3±0.05 62.5 +0.5 6.3 ±0.1 -4.5 Pb ELV W EEE RoHS
1N5391 ... 1N5399 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1.5 A VF < 1.3 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50 µA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj 15 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht Umgebung RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 50a-(2a-1.3v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3