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Technical content

Features

Low profile plastic package Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Flaches Kunststoff-Gehäuse Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 4000 / 7“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 These diodes are available in alternative case outlines Diese Dioden sind auch in alternativen Gehäuseformen lieferbar DO-35 MiniMELF Q-MiniMELF Q-MicroMELF SOD-123F SOD-323F = 1N4148 1N4448 = LL4148 LL4448 = LS4148 LS4448 = MCL4148 MCL4448 = 1N4148W 1N4448W = 1N4148WS 1N4448WS Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) 1N4148WT/-AQ Power dissipation − Verlustleistung Ptot 150 mW 3) Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC IFAV 125 mA 3) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 250 mA 3) Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 100 ms tp ≤ 1 µs IFSM 1 A 2 A Reverse voltage Sperrspannung VR 75 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM 100 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben

3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 1.2 0.12 0.8 0.35 0.7 1.6 Type Code

Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF < 0.715 V < 0.855 V < 1 V < 1.25 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = 20 V

75 V IR

< 25 nA < 1 µA Leakage current Sperrstrom Tj = 150°C VR = 20 V < 30 µA < 50 µA Junction capacitance – Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT typ. 2 pF Reverse recovery time – Sperrverzug trr < 4 ns 1) Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 620 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1 IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA

2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF 10-4 10-3 10-2 10-1 T = 25°Cj T = 125°Cj [%] Ptot 120 100 [°C]TA 150100500 Power dissipation versus ambient temperature )2 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )2