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Technical content
Features
Special grade 1N400xGP available Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit VRRM bis zu 2000 V Sonderversion 1N400xGP erhältlich Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N4001 50 50 1N4002 100 100 1N4003 200 200 1N4004 400 400 1N4005 600 600 1N4006 800 800 1N4007 1000 1000 1N4007-13 1300 1300 EM513 1600 1600 EM516 1800 1800 EM518 2000 2000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C TA = 100°C IFAV
1 A 3)
0.8 A 3)
Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TA = 75°C IFRM 5.4 A 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 27 A 30 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 3.6 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at TA at 10 mm distance from case – Gilt, wenn die Anschlüsse 10 mm vom Geh. auf TA gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS Type Ø 0.77±0.07 Ø 2.6±0.2 62.5+0.5 5.1+0.1 -4.5 -0.5
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50 µA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj 15 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 50a-(1a-1.1v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3