DATASHEET SEARCH SITE
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By digicamel.com
- PDF pages: 2
Technical content
Features
Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit Glaspassivierte Sperrschicht Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N4001GP / 1N4001-Q 50 50 1N4002GP / 1N4002-Q 100 100 1N4004GP / 1N4004-Q 400 400 1N4005GP / 1N4005-Q 600 600 1N4007GP / 1N4007-Q 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C TA = 100°C IFAV
1 A 3)
0.8 A 3)
Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 5.4 A 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 27 A 30 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 3.6 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS Type Ø 0.77±0.07 Ø 2.6±0.2 62.5+0.5 5.1+0.1 -4.5 -0.5
Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V Leakage current, instantenous Sperrstrom, Augenblickswert Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50 µA Junction capacitance Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj typ. 15 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 In 3 mm distance from case
In 3 mm Abstand vom Gehäuse 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 50a-(1a-1.1v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3